申请（专利）号:CN200780041706.0  　  申请日:2007.10.24
 
公开（公告）号:CN101535527  　  公开（公告）日:2009.09.16
 
主分类号:C23C18/31(2006.01)I
 
分类号:C23C18/31(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I
 
优先权:2006.11.10 JP 305738/2006
 
申请（专利权）人:S.E.S.株式会社;宫田清藏
 
地址:日本国东京都
 
国省代码:日本;JP
 
发明（设计）人:宫田清藏;清水哲也;田岛永善;曾根正人
 
国际申请:2007-10-24 PCT/JP2007/070692
 
国际公布:2008-05-15 WO2008/056537 日
 
进入国家日期:2009.05.08
 
专利代理机构:南京经纬专利商标代理有限公司
 
代理人:楼高潮

摘要: 　
 
    本发明的无电解镀方法在于金属基体试样(22)的表面上进行无电解电镀时，在无电解镀液(19)中分散有金属粉末的状态下，采用超临界流体或亚临界流体，进行无电解镀。如果这样，利用诱导共析现象，在短时间内获得均质而较厚的电镀层。在本发明的无电解镀方法中，金属粉末可采用平均粒径在1nm以上，在100μm以下的粉末，还可适用于作为半导体元件内的细微金属布线形成方法的金属镶嵌(damascene)法或双道金属镶嵌(dual damascene)法。通过上述方案可提供，采用亚临界流体或超临界流体，并且利用诱导共析现象，可短时间地通过无电解镀而获得均匀的膜的无电解镀方法。 　  
 
主权项: 　
 
    1、一种无电解镀方法，其为在金属基体的表面上进行无电解镀的方法，其特征在于，在无电解镀液中分散金属粉末的状态下，采用亚临界流体或超临界流体，利用诱导共析现象，进行无电解镀。